Un avance en la memoria informática: resistencia a altas temperaturas
Un equipo de ingenieros liderado por la Universidad de Michigan ha desarrollado un innovador dispositivo de memoria sólida que promete revolucionar el almacenamiento de datos en entornos de alta temperatura, como los reactores de fusión, motores a reacción y pozos geotérmicos. Este nuevo dispositivo es capaz de almacenar y reescribir información a temperaturas que superan los 1,100°F (600°C), una resistencia térmica superior a la de muchos materiales utilizados hasta ahora, incluyendo el plomo y la superficie de Venus. Este avance ha sido posible gracias a la colaboración con investigadores del Laboratorio Nacional Sandia.
A diferencia de la memoria convencional basada en silicio, el nuevo dispositivo utiliza óxido de tantalio y se basa en el movimiento de átomos de oxígeno cargados negativamente en lugar de electrones. Los semiconductores de silicio tradicionales comienzan a conducir niveles incontrolables de corriente a temperaturas elevadas, lo que puede provocar la pérdida de información. Sin embargo, en el dispositivo desarrollado, los iones de oxígeno permanecen estables y permiten el funcionamiento continuo incluso en condiciones extremas. Este sistema electroquímico se asemeja al proceso de carga y descarga de una batería, aunque su función principal es el almacenamiento de información.
El desarrollo de esta memoria resistente al calor también abre la puerta a aplicaciones prácticas en el ámbito de la computación en memoria, lo que podría reducir el consumo energético de los dispositivos. Con el potencial de almacenar información en estados que pueden mantenerse por más de 24 horas a temperaturas superiores a 1,100°F, este avance podría permitir la creación de dispositivos electrónicos que operen eficazmente en entornos que antes se consideraban inhóspitos para la tecnología moderna. A medida que continúen los desarrollos y la inversión en esta tecnología, se espera que la capacidad de almacenamiento de estos dispositivos aumente, lo que podría llevar a la creación de dispositivos capaces de manejar megabytes o incluso gigabytes de datos en condiciones extremas.
