Antiferromagnéticos: la nueva revolución en memorias ultrarrápidas y eficientes
En un avance significativo en el campo de la espintrónica, un equipo de investigadores de la Universidad de Tohoku, el Instituto Nacional de Ciencia de Materiales (NIMS) y la Agencia de Energía Atómica de Japón (JAEA) ha demostrado los beneficios tecnológicos de los antiferromagnetos en el ámbito de la memoria digital. Este estudio, publicado en […]
