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diciembre 28, 2024
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Investigadores desarrollan diodos pn de heterojunción de diamante con voltajes de ruptura superiores a 3 kV

Un equipo de investigación ha desarrollado diodos pn de heterounión de diamante/ε-Ga2O3 de alto rendimiento, basados en semiconductores de banda prohibida ultrancha, logrando voltajes de ruptura superiores a 3 kV. Este trabajo ha sido publicado en la revista Nano Letters. Innovaciones en semiconductores de banda prohibida ultrancha La investigación fue liderada por el profesor Ye […]

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diciembre 27, 2024
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Revolución en la gestión térmica: diodos cuánticos que controlan el flujo de calor en una sola dirección

La gestión del calor a escala nanométrica se ha convertido en un elemento fundamental para el avance de tecnologías modernas, que abarcan desde la electrónica de alto rendimiento hasta la computación cuántica. En este contexto, un nuevo enfoque ha comenzado a tomar protagonismo: la termotrónica, un campo emergente que se centra en la manipulación del […]