infrarrojos

Investigadores de la Universidad de Pekín han desarrollado un transistor de efecto de campo con estructura de heterojunción (HGFET) que presenta una alta sensibilidad en la detección de infrarrojos de onda corta (SWIR). Este avance, publicado en la revista Advanced Materials, destaca por su capacidad de detectar radiación infrarroja débil, alcanzando una detectividad específica superior […]