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diciembre 28, 2024
Investigadores desarrollan diodos pn de heterojunción de diamante con voltajes de ruptura superiores a 3 kV
Un equipo de investigación ha desarrollado diodos pn de heterounión de diamante/ε-Ga2O3 de alto rendimiento, basados en semiconductores de banda prohibida ultrancha, logrando voltajes de ruptura superiores a 3 kV. Este trabajo ha sido publicado en la revista Nano Letters. Innovaciones en semiconductores de banda prohibida ultrancha La investigación fue liderada por el profesor Ye […]